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GP1M009A090H

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: GP1M009A090H
説明: MOSFET N-CH 900V 9A TO220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 290W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 900V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2324pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 85 pcs

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