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GPA015A120MN-ND

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: GPA015A120MN-ND
説明: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT and Trench
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 210nC
部地位 Active
-マックス 212W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 600V, 15A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.61mJ (on), 530µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 25ns/166ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3PN
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
反転回復時間(trr) 320ns
現在-コレクター・Ic (Max) 30A
現在-コレクターピン(Icm) 45A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 96 pcs

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