画像は参考までに、仕様書を参照してください

GPA020A120MN-FD

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: GPA020A120MN-FD
説明: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 210nC
部地位 Active
-マックス 223W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3
実験条件 600V, 20A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 2.8mJ (on), 480µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 30ns/150ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3PN
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
反転回復時間(trr) 425ns
現在-コレクター・Ic (Max) 40A
現在-コレクターピン(Icm) 60A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 61 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.60 $1.57 $1.54
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IGP20N60H3XKSA1
Infineon Technologies
$1.56
SKP02N120XKSA1
Infineon Technologies
$1.54
IKB20N60H3ATMA1
Infineon Technologies
$1.54
IRGC4060B
Infineon Technologies
$1.51
IRGC4056B
Infineon Technologies
$1.51