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GPA020A120MN-FD

メーカー:	Global Power Technologies Group
対象品目:	Transistors - IGBTs - Single
データシート:	GPA020A120MN-FD
説明:	IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Global Power Technologies Group
対象品目	Transistors - IGBTs - Single
シリーズ	-
igbtタイプ	Trench Field Stop
包装	Tube
入力タイプ	Standard
門電荷	210nC
部地位	Active
-マックス	223W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3
実験条件	600V, 20A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー	2.8mJ (on), 480µJ (off)
td (on / off) @ 25°c	30ns/150ns
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3PN
v(オン)(Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 20A
反転回復時間(trr)	425ns
現在-コレクター・Ic (Max)	40A
現在-コレクターピン(Icm)	60A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	1200V