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GPA030A135MN-FDR

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: GPA030A135MN-FDR
説明: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 300nC
部地位 Active
-マックス 329W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3
実験条件 600V, 30A, 5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 30ns/145ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3PN
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 450ns
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 90A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1350V

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