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GSID100A120T2P2

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: GSID100A120T2P2
説明: SILICON IGBT MODULES
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Three Phase Bridge Rectifier
シリーズ Amp+™
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 710W
構成 Three Phase Inverter
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
現在-コレクター・Ic (Max) 200A
入力容量(Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 62 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$137.13 $134.39 $131.70
最小: 1

要求引用

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