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GSID150A120T2C1

メーカー:	Global Power Technologies Group
対象品目:	Transistors - IGBTs - Modules
データシート:	GSID150A120T2C1
説明:	SILICON IGBT MODULES
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Global Power Technologies Group
対象品目	Transistors - IGBTs - Modules
入力	Three Phase Bridge Rectifier
シリーズ	Amp+™
igbtタイプ	-
部地位	Active
-マックス	1087W
構成	Three Phase Inverter
取付タイプ	Chassis Mount
ntc thermistor	Yes
パケット/場合	Module
作動温度	-40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ	Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 150A
現在-コレクター・Ic (Max)	285A
入力容量(Cies) @ Vce	21.2nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス)	1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	1200V