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GSID200A120S3B1

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: GSID200A120S3B1
説明: SILICON IGBT MODULES
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ Amp+™
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 1595W
構成 2 Independent
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 D-3 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ D3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
現在-コレクター・Ic (Max) 400A
入力容量(Cies) @ Vce 20nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 63 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$93.42 $91.55 $89.72
最小: 1

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