GSID200A170S3B1
メーカー: | Global Power Technologies Group |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
データシート: | GSID200A170S3B1 |
説明: | SILICON IGBT MODULES |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Global Power Technologies Group |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
入力 | Standard |
シリーズ | Amp+™ |
igbtタイプ | - |
部地位 | Active |
-マックス | 1630W |
構成 | 2 Independent |
取付タイプ | Chassis Mount |
ntc thermistor | No |
パケット/場合 | D-3 Module |
作動温度 | -40°C ~ 150°C |
サプライヤー装置パッケージ | D3 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 400A |
入力容量(Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 57 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$141.47 | $138.64 | $135.87 |
最小: 1