Image is for reference only , details as Specifications

GSID200A170S3B1

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: GSID200A170S3B1
説明: SILICON IGBT MODULES
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ Amp+™
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 1630W
構成 2 Independent
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 D-3 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ D3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
現在-コレクター・Ic (Max) 400A
入力容量(Cies) @ Vce 26nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 57 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$141.47 $138.64 $135.87
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FS100R12KT4GB11BOSA1
Infineon Technologies
$140.67
FF300R12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$139.7
FS100R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
$139.4
FS100R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
$139.17
FF225R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
$139.12