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HTNFET-T

メーカー: Honeywell Aerospace
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: HTNFET-T
説明: MOSFET N-CH 55V 4-PIN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Honeywell Aerospace
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HTMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Bulk
vgs max 10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 4-SIP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA
作動温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V
電力放蕩(マックス) 50W (Tj)
サプライヤー装置パッケージ 4-Power Tab
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 28V
現在25%で安全連続(id) @°c -
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V

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