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70T3339S200BC8

メーカー: IDT, Integrated Device Technology Inc
対象品目: Memory
データシート: 70T3339S200BC8
説明: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IDT, Integrated Device Technology Inc
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
技術 SRAM - Dual Port, Synchronous
アクセス時間 3.4ns
メモリサイズ 9Mb (512K x 18)
メモリタイプ Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット SRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 256-LBGA
クロック周波数 200MHz
ベース部材番号 IDT70T3339
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 2.4V ~ 2.6V
作動温度 0°C ~ 70°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 256-CABGA (17x17)
サイクル時間−単語,ページを書く -

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