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70V3579S6BCI

メーカー: IDT, Integrated Device Technology Inc
対象品目: Memory
データシート: 70V3579S6BCI
説明: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IDT, Integrated Device Technology Inc
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 SRAM - Dual Port, Synchronous
アクセス時間 6ns
メモリサイズ 1.125Mb (32K x 36)
メモリタイプ Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット SRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 256-LBGA
ベース部材番号 IDT70V3579
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 3.15V ~ 3.45V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 256-CABGA (17x17)
サイクル時間−単語,ページを書く -

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