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IS43DR86400E-3DBLI-TR

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
対象品目: Memory
データシート: IS43DR86400E-3DBLI-TR
説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
技術 SDRAM - DDR2
アクセス時間 450ns
メモリサイズ 512Mb (64M x 8)
メモリタイプ Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット DRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 60-TFBGA
クロック周波数 333MHz
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 1.7V ~ 1.9V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 60-TWBGA (8x10.5)
サイクル時間−単語,ページを書く 15ns

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