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IS61NVP102418-200B3I

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
対象品目: Memory
データシート: IS61NVP102418-200B3I
説明: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 SRAM - Synchronous, SDR
アクセス時間 3.1ns
メモリサイズ 18Mb (1M x 18)
メモリタイプ Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット SRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 165-TBGA
クロック周波数 200MHz
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 2.375V ~ 2.625V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 165-TFBGA (13x15)
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