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IXFT6N100F

メーカー:	IXYS-RF
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IXFT6N100F
説明:	MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	IXYS-RF
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HiPerRF™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.9Ohm @ 3A, 10V
電力放蕩(マックス)	180W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-268 (IXFT)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1000V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V