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IXBF50N360

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXBF50N360
説明: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ BIMOSFET™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 210nC
部地位 Active
-マックス 290W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 i4-Pac™-5 (3 Leads)
実験条件 960V, 50A, 5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c 46ns/205ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ ISOPLUS i4-PAC™
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 50A
反転回復時間(trr) 1.7µs
現在-コレクター・Ic (Max) 70A
現在-コレクターピン(Icm) 420A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 3600V

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