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IXBT42N170A

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXBT42N170A
説明: IGBT 1700V 42A 357W TO268
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ BIMOSFET™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 188nC
部地位 Active
-マックス 357W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
実験条件 850V, 21A, 1Ohm, 15V
ベース部材番号 IXB*42N170
スイッチングエネルギー 3.43mJ (on), 430µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 19ns/200ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 21A
反転回復時間(trr) 330ns
現在-コレクター・Ic (Max) 42A
現在-コレクターピン(Icm) 265A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1700V

在庫が 92 pcs

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