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IXFA4N100Q

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXFA4N100Q
説明: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HiPerFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3Ohm @ 2A, 10V
電力放蕩(マックス) 150W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-263 (IXFA)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1000V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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