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IXFN120N65X2

メーカー:	IXYS
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IXFN120N65X2
説明:	MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	IXYS
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HiPerFET™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Chassis Mount
パケット/場合	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	24mOhm @ 54A, 10V
電力放蕩(マックス)	890W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	SOT-227B
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	225nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	15500pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	108A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V