IXFN180N10
メーカー: | IXYS |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IXFN180N10 |
説明: | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | IXYS |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | HiPerFET™ |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Chassis Mount |
パケット/場合 | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 8mOhm @ 500mA, 10V |
電力放蕩(マックス) | 600W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | SOT-227B |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 180A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 1064 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$27.14 | $26.60 | $26.07 |
最小: 1