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IXFN180N10

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXFN180N10
説明: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HiPerFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8mOhm @ 500mA, 10V
電力放蕩(マックス) 600W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-227B
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 180A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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