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IXFN21N100Q

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXFN21N100Q
説明: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HiPerFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 500mOhm @ 500mA, 10V
電力放蕩(マックス) 520W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-227B
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1000V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 21A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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