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IXFN50N120SIC

メーカー:	IXYS
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IXFN50N120SIC
説明:	MOSFET N-CH
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	IXYS
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	+20V, -5V
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Chassis Mount
パケット/場合	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	50mOhm @ 40A, 20V
電力放蕩(マックス)	-
サプライヤー装置パッケージ	SOT-227B
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 20V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 1000V
現在25%で安全連続(id) @°c	47A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	20V