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IXFN70N100X

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXFN70N100X
説明: MOSFET 1KV 65A ULTRA JCT SOT227
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HiPerFET™
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 8mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 89mOhm @ 35A, 10V
電力放蕩(マックス) 1200W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-227B
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1000V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 9150pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 56A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 25 pcs

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