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IXFN70N120SK
| メーカー: | IXYS |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IXFN70N120SK |
| 説明: | MOSFET N-CH |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | +20V, -5V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パケット/場合 | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 15mA |
| 作動温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V |
| 電力放蕩(マックス) | - |
| サプライヤー装置パッケージ | SOT-227B |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 20V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1200V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 2790pF @ 1000V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 68A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 20V |
