IXFN82N60Q3
メーカー: | IXYS |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IXFN82N60Q3 |
説明: | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | IXYS |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | HiPerFET™ |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Chassis Mount |
パケット/場合 | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 75mOhm @ 41A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 960W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | SOT-227B |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 275nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 600V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 66A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 24 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$41.76 | $40.92 | $40.11 |
最小: 1