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IXFT23N60Q

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXFT23N60Q
説明: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HiPerFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Bulk
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V
電力放蕩(マックス) 400W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 23A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 58 pcs

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$11.22 $11.00 $10.78
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