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IXFX30N110P

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXFX30N110P
説明: MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HiPerFET™, PolarP2™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 360mOhm @ 15A, 10V
電力放蕩(マックス) 960W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PLUS247™-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 30A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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