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IXGM25N100A

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXGM25N100A
説明: POWER MOSFET TO-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 180nC
部地位 Last Time Buy
-マックス 200W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-204AE
実験条件 800V, 25A, 33Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 5mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 100ns/500ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-204AE
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 25A
反転回復時間(trr) 200ns
現在-コレクター・Ic (Max) 50A
現在-コレクターピン(Icm) 100A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1000V

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