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IXGT30N120B3D1

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXGT30N120B3D1
説明: IGBT 1200V 300W TO268
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ GenX3™
igbtタイプ PT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 87nC
部地位 Active
-マックス 300W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
実験条件 960V, 30A, 5Ohm, 15V
ベース部材番号 IXG*30N120
スイッチングエネルギー 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 16ns/127ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 100ns
現在-コレクターピン(Icm) 150A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 55 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.67 $6.54 $6.41
最小: 1

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