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IXGT32N120A3

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXGT32N120A3
説明: IGBT 1200V 75A 300W TO268
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ GenX3™
igbtタイプ PT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 89nC
部地位 Active
-マックス 300W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
実験条件 -
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c -
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 32A
現在-コレクター・Ic (Max) 75A
現在-コレクターピン(Icm) 230A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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