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IXGT35N120B

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXGT35N120B
説明: IGBT 1200V 70A 300W TO268
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ HiPerFAST™
igbtタイプ PT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 170nC
部地位 Active
-マックス 300W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
実験条件 960V, 35A, 5Ohm, 15V
ベース部材番号 IXG*35N120
スイッチングエネルギー 3.8mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 50ns/180ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A
現在-コレクター・Ic (Max) 70A
現在-コレクターピン(Icm) 140A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 56 pcs

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$13.07 $12.81 $12.55
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