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IXSQ20N60B2D1

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXSQ20N60B2D1
説明: IGBT 600V 35A 190W TO3P
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ PT
包装 Bulk
入力タイプ Standard
門電荷 33nC
部地位 Obsolete
-マックス 190W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 -
ベース部材番号 IXS*20N60
スイッチングエネルギー 380µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 30ns/116ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A
反転回復時間(trr) 30ns
現在-コレクター・Ic (Max) 35A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 61 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

要求引用

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