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IXSQ20N60B2D1
| メーカー: | IXYS |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | IXSQ20N60B2D1 |
| 説明: | IGBT 600V 35A 190W TO3P |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | PT |
| 包装 | Bulk |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 33nC |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 190W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 実験条件 | - |
| ベース部材番号 | IXS*20N60 |
| スイッチングエネルギー | 380µJ (off) |
| td (on / off) @ 25°c | 30ns/116ns |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-3P |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 16A |
| 反転回復時間(trr) | 30ns |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 35A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 61 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
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