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IXST30N60B

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXST30N60B
説明: IGBT 600V 55A 200W TO268
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ PT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 100nC
部地位 Obsolete
-マックス 200W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
実験条件 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
ベース部材番号 IXS*30N60
スイッチングエネルギー 1.5mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 30ns/150ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
現在-コレクター・Ic (Max) 55A
現在-コレクターピン(Icm) 110A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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