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IXTA1R6N100D2HV

メーカー:	IXYS
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IXTA1R6N100D2HV
説明:	MOSFET N-CH
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	IXYS
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Depletion Mode
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10Ohm @ 800mA, 0V
電力放蕩(マックス)	100W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-263HV
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1000V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	1.6A (Tj)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	0V