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IXTA80N10T7

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXTA80N10T7
説明: MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchMV™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 14mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス) 230W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-263-7 (IXTA..7)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3040pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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