Image is for reference only , details as Specifications

IXTH1N170DHV

メーカー:	IXYS
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IXTH1N170DHV
説明:	MOSFET N-CH
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	IXYS
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Depletion Mode
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3 Variant
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	16Ohm @ 500mA, 0V
電力放蕩(マックス)	290W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247HV
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1700V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3090pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	1A (Tj)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	0V