Image is for reference only , details as Specifications

IXTH68P20T

メーカー:	IXYS
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IXTH68P20T
説明:	MOSFET P-CH 200V 68A TO-247
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	IXYS
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchP™
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tube
vgs max	±15V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	55mOhm @ 34A, 10V
電力放蕩(マックス)	568W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247 (IXTH)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	380nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	33400pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	68A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V