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IXTQ200N10T

メーカー:	IXYS
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IXTQ200N10T
説明:	MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	IXYS
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchMV™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.5mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	550W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3P
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	9400pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	200A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V