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IXTT10N100D

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXTT10N100D
説明: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Depletion Mode
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.4Ohm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス) 400W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1000V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 10A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 60 pcs

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