IXTT3N200P3HV
メーカー: | IXYS |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IXTT3N200P3HV |
説明: | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | IXYS |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 8Ohm @ 1.5A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 520W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-268 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 2000V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 3A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 56 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$35.71 | $35.00 | $34.30 |
最小: 1