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IXTY18P10T

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXTY18P10T
説明: MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchP™
fet234タイプ P-Channel
包装 Tube
vgs max ±15V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 120mOhm @ 9A, 10V
電力放蕩(マックス) 83W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 18A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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