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IXXN200N65A4

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXXN200N65A4
説明: IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ XPT™, GenX4™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 736nC
部地位 Active
-マックス 1250W
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 SOT-227-4, miniBLOC
実験条件 400V, 100A, 1Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 8.8mJ (on), 6.7mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 140ns/1.04µs
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ SOT-227B
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 200A
反転回復時間(trr) 160ns
現在-コレクター・Ic (Max) 440A
現在-コレクターピン(Icm) 1200A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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