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IXXP50N60B3

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXXP50N60B3
説明: IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ XPT™, GenX3™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 70nC
部地位 Active
-マックス 600W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
実験条件 360V, 36A, 5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 670µJ (on), 1.2mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 27ns/150ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 36A
反転回復時間(trr) 40ns
現在-コレクター・Ic (Max) 120A
現在-コレクターピン(Icm) 200A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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