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IXYK200N65B3

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXYK200N65B3
説明: IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ XPT™, GenX3™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 340nC
部地位 Active
-マックス 1560W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-264-3, TO-264AA
実験条件 400V, 100A, 0Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 5mJ (on), 4mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 60ns/370ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-264
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A
反転回復時間(trr) 108ns
現在-コレクター・Ic (Max) 410A
現在-コレクターピン(Icm) 1100A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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