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IXYN75N65C3D1

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXYN75N65C3D1
説明: IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ XPT™, GenX3™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 122nC
部地位 Active
-マックス 600W
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 SOT-227-4, miniBLOC
実験条件 400V, 60A, 3Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 2mJ (on), 950µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 26ns/93ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ SOT-227B
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A
反転回復時間(trr) 65ns
現在-コレクター・Ic (Max) 150A
現在-コレクターピン(Icm) 360A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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