IXYP20N65C3D1M
メーカー: | IXYS |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | IXYP20N65C3D1M |
説明: | IGBT 650V 18A 50W TO220 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | IXYS |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | GenX3™, XPT™ |
igbtタイプ | PT |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 30nC |
部地位 | Active |
-マックス | 50W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-220-3 |
実験条件 | 400V, 20A, 20Ohm, 15V |
スイッチングエネルギー | 430µJ (on), 350µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 19ns/80ns |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-220AB |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
反転回復時間(trr) | 30ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 18A |
現在-コレクターピン(Icm) | 105A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 76 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.52 | $2.47 | $2.42 |
最小: 1