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IXYP20N65C3D1M

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXYP20N65C3D1M
説明: IGBT 650V 18A 50W TO220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ GenX3™, XPT™
igbtタイプ PT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 30nC
部地位 Active
-マックス 50W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
実験条件 400V, 20A, 20Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 430µJ (on), 350µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 19ns/80ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
反転回復時間(trr) 30ns
現在-コレクター・Ic (Max) 18A
現在-コレクターピン(Icm) 105A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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