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IXYT20N120C3D1HV

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXYT20N120C3D1HV
説明: IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ XPT™, GenX3™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 53nC
部地位 Active
-マックス 230W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
実験条件 600V, 20A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.3mJ (on), 1mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 20ns/90ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-268HV
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A
反転回復時間(trr) 29ns
現在-コレクター・Ic (Max) 36A
現在-コレクターピン(Icm) 88A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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