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MIEB101H1200EH

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: MIEB101H1200EH
説明: IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 630W
構成 Full Bridge Inverter
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 E3
作動温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ E3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
現在-コレクター・Ic (Max) 183A
入力容量(Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 300µA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 69 pcs

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