MII100-12A3
メーカー: | IXYS |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
データシート: | MII100-12A3 |
説明: | IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | IXYS |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
入力 | Standard |
シリーズ | - |
igbtタイプ | NPT |
部地位 | Active |
-マックス | 560W |
構成 | Half Bridge |
取付タイプ | Chassis Mount |
ntc thermistor | No |
パケット/場合 | Y4-M5 |
ベース部材番号 | MII |
作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | Y4-M5 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 75A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 135A |
入力容量(Cies) @ Vce | 5.5nF @ 25V |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 5mA |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 66 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$57.78 | $56.62 | $55.49 |
最小: 1