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MII100-12A3

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: MII100-12A3
説明: IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ NPT
部地位 Active
-マックス 560W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Y4-M5
ベース部材番号 MII
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Y4-M5
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A
現在-コレクター・Ic (Max) 135A
入力容量(Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 5mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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