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MMIX1X200N60B3H1

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: MMIX1X200N60B3H1
説明: IGBT 600V 175A 520W SMPD
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ GenX3™, XPT™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 315nC
部地位 Active
-マックス 520W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 24-PowerSMD, 21 Leads
実験条件 360V, 100A, 1Ohm, 15V
ベース部材番号 IXG*200N60
スイッチングエネルギー 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 48ns/160ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ 24-SMPD
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A
反転回復時間(trr) 100ns
現在-コレクター・Ic (Max) 175A
現在-コレクターピン(Icm) 1000A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 40 pcs

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