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VMO580-02F

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: VMO580-02F
説明: MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HiPerFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Bulk
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 Y3-Li
ベース部材番号 VMO
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50mA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.8mOhm @ 430A, 10V
電力放蕩(マックス) -
サプライヤー装置パッケージ Y3-Li
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2750nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
現在25%で安全連続(id) @°c 580A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 39 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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